Ce sont les mémoires vives les plus rapides. Le point mémoire est constitué de deux ensembles de 2 transistors croisés montés en bascule. Voir shéma ci dessous.
Comme dans les autres mémoires, la cellule est sélectionnée par l'adresse du mot WL ( Word Line) et par le bit dans le mot BL (Bit Line). La valeur mémorisée est Q qui vaut 1 si son potentiel est >0 et égal à 0 si son potentiel est à 0. L'autre sortie est intitulée Q (lire Q barre ) et vaut toujours la valeur opposée à Q. Par définition si Q = 1, Q = 0 et réciproquement. On dit que Q est l'inverse ou l'opposé ou encore le complément de Q.
De même on utilise dans l'écriture du point mémoire BL et son complément BL.

 

 

Le point mémoire SRAM

La cellule de Ram statique est constituée de 6 transistors dont 4 (M1 à M4) constituent le point mémoire proprement dit, M5 servant à l'accès en écriture et M6 en lecture. On trouve de chaque coté 2 transistors en série l'un (M1 ou M3) canal N ou NMOS qui conduit quand sa grille est positive et l'autre (M2 ou M4) canal P ou PMOS qui conduit quand sa grille est à 0. L'ensemble constitue un transistor CMOS (Complémentary MOS) qui a le gros avantage de ne pas consommer sauf lorsqu'il change d'état.

La valeur mémorisée est Q qui vaut 1 s'il est à la tension positive Vdd. Dans ce cas M4 est conducteur et M3 bloqué. Q étant appliqué sur les grilles de M1 et M2 fait conduire M1 et bloque M2. La sortie Q est à 0; elle maintient bien M3 bloqué et M4 conducteur. En l'absence de commande extérieure les 2 sorties Q et Q gardent leurs valeurs respectives 1 et 0.

Si l'on veut lire la valeur de Q on sélectionne la cellule avec la ligne de mot WL ce qui commande M6 dont la sortie prend la valeur de Q.

Si l'on désire mettre la cellule à 0 on commandera M5 avec la ligne de mot WL agissant sur sa grille et l'inverse de la ligne de bit BL (qui vaut 1) sur sa source. Q est donc mis à 1 ce qui fait conduire M3 et met la sortie Q à 0. De même une tension nulle sur BL remettra Q à 1.